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SAE J1752/3 的测试设备

J1752/3是由SAE提出的集成电路测试标准,SAE International是一个由航空航天、汽车和商用车行业的128,000多名工程师和相关技术专家组成的全球性协会。

SAE J1752/3标准简介:
Measurement of Radiated Emissions from Integrated Circuits—TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; TEM Cell (150 kHz to 1 GHz), Wideband TEM Cell (150 kHz to 8 GHz)(STABILIZED Sep 2017) J1752/3_201709

集成电路辐射发射的测量-TEM/宽带TEM(GTEM)室方法; TEM室(150 kHz至1 GHz),宽带TEM室(150 kHz至8 GHz)(稳定2017年9月) J1752/3_201709
本测量程序定义了一种用于测量集成电路(IC)电磁辐射的方法。被评估的IC被安装在IC测试印刷电路板(PCB)上,该IC测试印刷电路板被夹持到在TEM或宽带TEM(GTEM)室的顶部或底部切割的配合端口(称为壁端口)。
测试板不像常规使用那样在单元中,而是成为单元壁的一部分。
该方法适用于任何修改为包含壁端口的TEM或GTEM小室;但是,测量的RF电压受隔膜到测试板(壁)间距的影响。该过程使用在端口区域上具有45 mm的隔膜到壁间距的1GHz TEM室和具有45 mm的平均隔膜到壁间距的GTEM室来开发。其他电池可能不会产生相同的光谱输出,但可用于比较测量,受其频率和灵敏度的限制。转换因子可以允许在具有不同隔膜到壁间距的TEM或GTEM室上测量的数据之间进行比较。IC测试板控制操作IC相对于电池的几何形状和方向,并消除电池内的任何连接引线(这些引线位于板的背面,位于电池外部)。对于TEM小室,50 Ω端口中的一个端接有50 Ω负载。用于TEM小室的另一个50 Ω端口或用于GTEM小室的单个50 Ω端口连接到频谱分析仪或接收器的输入端,该频谱分析仪或接收器测量从IC发出的RF发射并耦合到TEM小室的隔膜上。

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