SAE J1752/3 test equipment

J1752/3是由SAE提出的集成电路测试标准，SAE International是一个由航空航天、汽车和商用车行业的128，000多名工程师和相关技术专家组成的全球性协会。

SAE J1752/3标准简介：
Measurement of Radiated Emissions from Integrated Circuits—TEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; TEM Cell (150 kHz to 1 GHz), Wideband TEM Cell (150 kHz to 8 GHz)(STABILIZED Sep 2017) J1752/3_201709

集成电路辐射发射的测量-TEM/宽带TEM（GTEM）室方法; TEM室（150 kHz至1 GHz），宽带TEM室（150 kHz至8 GHz）（稳定2017年9月） J1752/3_201709
本测量程序定义了一种用于测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。被评估的IC被安装在IC测试印刷电路板（PCB）上，该IC测试印刷电路板被夹持到在TEM或宽带TEM（GTEM）室的顶部或底部切割的配合端口（称为壁端口）。
测试板不像常规使用那样在单元中，而是成为单元壁的一部分。
该方法适用于任何修改为包含壁端口的TEM或GTEM小室;但是，测量的RF电压受隔膜到测试板（壁）间距的影响。该过程使用在端口区域上具有45 mm的隔膜到壁间距的1GHz TEM室和具有45 mm的平均隔膜到壁间距的GTEM室来开发。其他电池可能不会产生相同的光谱输出，但可用于比较测量，受其频率和灵敏度的限制。转换因子可以允许在具有不同隔膜到壁间距的TEM或GTEM室上测量的数据之间进行比较。IC测试板控制操作IC相对于电池的几何形状和方向，并消除电池内的任何连接引线（这些引线位于板的背面，位于电池外部）。对于TEM小室，50 Ω端口中的一个端接有50 Ω负载。用于TEM小室的另一个50 Ω端口或用于GTEM小室的单个50 Ω端口连接到频谱分析仪或接收器的输入端，该频谱分析仪或接收器测量从IC发出的RF发射并耦合到TEM小室的隔膜上。