E1 抗干扰开发系统 德国LANGER-EMV EFT ESD整改套件

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Product Description

 

E1 抗干扰开发系统 德国LANGER-EMV EFT ESD整改套件
E1 抗干扰开发系统 德国LANGER-EMV EFT ESD整改套件

E1抗干扰性开发系统是什么?

E1抗干扰性开发系统是由德国LANGER-EMV公司生产并由EUTTEST销售的一套集成电路板开发过程中进行抗干扰分析的 EMC工具系统。采用E1抗干扰开发系统,能够快速精准地整改定位脉冲群干扰静电放电干扰的原因(薄弱点),使工程师开发人员能够准确针对薄弱点设计恰当的 EMC措施,并且使用 E1 评估 EMC措施的效果。E1 检测设备的搭建空间小,适宜于在电子元件开发人员的工作场地使用。E1 用户手册对EMC工作机制以及集成电路板去干扰的基本测量策略作出详细描述。E1 组套包括一个脉冲群干扰和静电放电干扰发生器、九种不同的电场和磁场源、以及其他各类附件。

E1抗干扰性开发系统产品特点:

产品的抗干扰设计,来源于企业对产品质量的追求,同时也是电磁兼容测试标准的要求。 由于瞬态干扰具有快速和宽频谱等特点,传统的示波器和频谱分析仪等手段,都无法准确测量瞬态电

磁场。产品的抗干扰设计,只能在产品最终测试阶段来考虑,采取的手段是屏蔽或者滤波,对外界干扰进行隔离或者直接引到接地系统。

LANGER抗干扰开发系统,采用无互扰的特殊测量手段和独创的脉冲率测试法,在设计阶 段排除电磁敏感性问题,提高产品设计质量,增强产品的稳定性和可靠性。

在电磁兼容测试要求中,下列测试项目为突发干扰测试项目:

IEC61000-4-4(国标GB/T-17626.4):电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

IEC61000-4-2(国标GB/T-17626.2):静电放电抗扰度试验

GJB151A/152A-CS115:电缆束注入脉冲激励传导敏感度

GJB151A/152A-RS105:瞬变电磁场辐射敏感度

E1抗干扰性开发系统测试原理:

LANGER抗干扰开发系统,能对被测物施加突发干扰,再现被测物出现故障的现象;能采用不同 的方式,向电子模块直接注入突发性的电场干扰或磁场干扰,从而定位电路板上的电磁薄弱点,理解 耦合机理,并完成最优化的设计修改。

从功能上,LANGER抗干扰开发系统由信号源、场源探头组、瞬态磁场探头组、光纤 输入计数器、EMC传感器等组成,各部分相互配合,实现电磁敏感点的快速定位:

SGZ21信号源,具有隔离输出功能的,产生连续的类似于EFT脉冲群或者ESD的干扰脉冲,脉冲 的上升沿时间为2ns,下降沿时间为约10ns。这些脉冲包含的能量比2/50ns的EFT脉冲群脉冲【根据 EN 61000-4-4】或ESD【根据EN 61000-4-2】脉冲小,因此能在不损坏被测设备的情况下,把干扰直 接耦合到电子模块内,判断是磁场敏感还是电场敏感,再利用瞬态磁场探头测量磁突发场强度,并分 析干扰电流路径。

场源探头组,包括各种尺寸和形状的磁场场源探头和电场场源探头,最小分辨率可达小于1mm。 可以连接到SGZ21信号源,向被测电路中的接地系统、电源系统、集成电路、引脚、分立元件、关键 布线、电缆、接插件等地方注入干扰,用于精确定位电路敏感点位置。

采用多种EMC传感器监测PCB上的关键信号线、电源、地、电缆、接插件等被干扰的情况。

SGZ21输出的脉冲信号,其脉冲幅度是连续变化的,峰值在0-1500V之间,按统计平均分布。发 生器内内置了一个带光纤(2.2mm塑料光纤)输入的计数器。利用计数器和信号源的特殊信号,配合 传感器和瞬态磁场探头,LANGER独创了脉冲率测试法,利用这种方法能对电路模块进行快速的抗干 扰性能评估,也能快速评估电路修改、屏蔽、滤波的有效性,从而节省大量的开发时间。

E1抗干扰性开发系统装箱清单

E1抗干扰性开发系统装箱清单
E1抗干扰性开发系统装箱清单

• 1x SGZ 21, 脉冲群发生器 – 脉冲密度计数器

• 1x S21, 光学传感器(10 Mbps)

• 1x BS 02

• 1x BS 04DB, 磁场源探头

• 1x BS 05D, 磁场源

• 1x BS 05DU, 磁场源探头

• 1x ES 00, 电场源探头

• 1x ES 01, 电场源探头

• 1x ES 02, 电场源探头

• 1x ES 05D, 电场源探头

• 1x ES 08D, 电场源探头

• 1x MS 02, 磁场探头

• 1x E1 acc

• 1x NT FRI EU

• 1x E1 case, System case

• 1x E1 m, E1系列 用户手册

E1抗干扰基本开发设备,包括SGZ21信号源【内置光纤输入的计数器】,S31传感器,MS02无源 瞬态磁场探头以及一组磁场场源探头和电场场源探头

2.1 SGZ21信号发生器

 

SGZ21产生连续的类似于Burst或者ESD的干扰脉冲,脉冲的上 升沿时间为2ns,下降沿时间为约10ns。这些脉冲包含的能量比 2/50ns 的 Burst 脉冲【 根据 EN 61000-4-4 】或 ESD 【根 据 EN

61000-4-2】脉冲小,因此能在不损坏被测设备的情况下,把干扰直 接耦合到电子模块内。由于SGZ21产生的脉冲,上升沿时间短,峰 值电压也比较低,所以这些干扰对被测设备的影响,是和EN 61000-4-4的Burst脉冲的影响类似的。

2.2 MS02磁场探头

MS 02是一个无源探头,无需额外能量,通过光纤连接到 SGZ21输入。

如果MS02检测到磁场脉冲,它就会发出一个光脉冲。光脉 冲的数量,可以在SGZ21计数器上读到,这个值和测量到的 平均磁场强度成一定的比例。详细参考脉冲率测试方法

2.3 S31传感器

流过EUT的干扰电流会产生磁场。通过磁场的强度和方向等 信息能提供干扰电流的分布情况。E1内含了一个MS02磁场探头(图9)。

MS 02是一个无源探头,无需额外能量,通过光纤连接到SGZ21输入。 如果MS02检测到磁场脉冲,它就会发出一个光脉冲。光脉冲的数量,可以在SGZ21计数器上读

到,这个值和测量到的平均磁场强度成一定的比例。详细参考脉冲率测试方法(见2.5节内容)。

E1抗干扰性开发系统主要部件技术参数

S21 光学传感器
传输范围DC…10 Mbps
光纤接口2.2 mm Ø
电源电压(3-5) V
电流输入10 mA
SGZ 21 脉冲群发生器 – 脉冲密度计数器
脉冲参数
上升时间ca. 2 ns
波尾时间ca. 10 ns
峰值ca. 0…1500 V
光学输入
光纤2.2 mm
最大频率5 MHz
最小脉冲宽度100 ns
电源电压12 V / 200 mA
尺寸 (L x W x H)(154 x 100 x 62) mm

任选其一:

①、发送邮件到:sales@euttest.com

②、电话咨询

③、填写以下表单,EUTTEST主动给您发邮件确认。